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本实用新型涉及一种基于台阶结构的发光二极管10，包括：单晶Si衬底11第一Ge层12，设置于单晶Si衬底11表面；Ge基台阶结构13，设置于第一Ge层12表面的中心位置处；正电极14，设置于第一Ge层12的上表面并位于台阶结构13两侧的位置...
该专利属于西藏民族大学所有，仅供学习研究参考，未经过西藏民族大学授权不得商用。

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