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本实用新型提供一种大功率平面栅D‑MOSFET结构，所述平面栅D‑MOSFET为N‑MOS结构或P‑MOS结构，包括P‑阱或N‑阱，门极，N+源区或P+源区，源极，绝缘层，N‑漂移区或P‑漂移区，漏极，所述N‑MOS结构的P‑阱结构转角区域...
该专利属于深圳基本半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳基本半导体有限公司授权不得商用。

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