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本发明公开了8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺，包括依次进行的以下步骤：步骤一、将硅衬底材料采用纯水清洗后放入反应器内；步骤二、采用氢气作为载流气体排出反应器内的空气；步骤三、将反应器内部升温至1160～1180℃，再采用HCL刻蚀3～4mi...
该专利属于四川广瑞半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过四川广瑞半导体有限公司授权不得商用。

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