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一种MPCVD制备GaN纳米线的方法属于无机化合物半导体材料制备与生长方法领域。高质量GaN纳米线的可控制备是当前的一个技术难点，本发明采用设计的石英坩埚和石英罩克服了这一难点，首次采用MPCVD制备了高质量的GaN纳米线，并且摒弃了对环境...
该专利属于北京工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京工业大学授权不得商用。

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