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本发明提供了一种红外传感器结构及其制备方法,通过在互连层顶部的顶部介质层中刻蚀出沟槽,并沟槽之上制备红外探测结构,从而在红外探测结构和互连层直接接触后,使沟槽形成空腔,利用互连层来支撑红外探测结构,解决了传统红外传感器结构中采用支撑孔来支撑...该专利属于上海集成电路研发中心有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过上海集成电路研发中心有限公司授权不得商用。
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本发明提供了一种红外传感器结构及其制备方法,通过在互连层顶部的顶部介质层中刻蚀出沟槽,并沟槽之上制备红外探测结构,从而在红外探测结构和互连层直接接触后,使沟槽形成空腔,利用互连层来支撑红外探测结构,解决了传统红外传感器结构中采用支撑孔来支撑...