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本发明属于MEMS器件核心结构设计领域，并具体公开了一种基于SOI‑MEMS的温控隔振平台，其从下至上依次设置有锚定结构层、隔振悬臂结构层、温控平台层和MEMS振荡器连接层，隔振悬臂结构层与温控平台层之间、温控平台层和MEMS振荡器连接层之...
该专利属于华中科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过华中科技大学授权不得商用。

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