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本发明提供一种紫外LED外延结构的生长方法，关键在于有源区多量子阱的特殊生长工艺：具体是将LP和PAL作为一个整体超晶格生长，生长周期5‑20个，Mg的掺杂采取屋脊型渐变掺杂，即Mg的掺杂先渐变升高，到达峰值后，再渐变降低，呈对称分布。通过...
该专利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥彩虹蓝光科技有限公司授权不得商用。

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