温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供一种鳍式场效应晶体管及其制造方法，通过富氮低K介质层和富氧低K介质层交替堆叠形成复合侧墙，能够在减小栅电极和后续形成的源区和漏区导电插塞之间的寄生电容的同时，通过内层的富氮低K介质层来阻挡氧向后续形成的高K金属栅极中的扩散，从而提...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。