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本发明涉及一种半导体器件及其制备方法。所述方法包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成具有窗口的掩膜层，所述窗口对应于所述半导体衬底中待形成的沟槽。执行预先离子注入，所述预先离子注入的注入方向与所述半导体衬底的法线方向具有夹角，以在所述半...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。