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本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：提供衬底结构，衬底结构包括在半导体衬底上依次形成的电介质层、功能层和硬掩膜层，对衬底结构图案化以形成穿过硬掩膜层和功能层延伸到电介质层中的开口，在对开口中的功能层侧壁氧...该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。