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本发明公开了一种类石墨烯氮化碳改性Al掺杂ZnO透明导电薄膜的制备方法，通过溶胶‑凝胶制备、旋涂及煅烧工艺，形成g‑C3N4改性Al掺杂的ZnO透明导电薄膜。其中，Al掺杂有效地提高了薄膜的载流子浓度和迁移率，致使电阻率下降，而氮化碳的加入...
该专利属于南昌航空大学所有，仅供学习研究参考，未经过南昌航空大学授权不得商用。

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