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本发明公开了一种半导体二硫化钼薄膜材料的制备方法，该工艺利用酸洗和碱洗清洗活化陶瓷薄膜基底，应用磁控溅射技术将二硫化钼溅射至陶瓷薄膜表层，进而退火得到半导体二硫化钼薄膜材料。制备而成的半导体二硫化钼薄膜材料，其制作工艺简单、导电性能好、光电...
该专利属于苏州云舒新材料科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州云舒新材料科技有限公司授权不得商用。

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