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本发明公开了一种垂直结构ZnO基LED芯片及其制备方法，芯片结构包括：由下至上依次排列的作为p型电极的金属Al反射电极、p型ZnxMg1‑xO衬底层、i型Al2O3薄膜层、n型ZnO薄膜层和n型电极。采用高质量的p型ZnxMg1‑xO衬底层...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学授权不得商用。

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