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本实用新型实施例提供了一种NOR型浮栅存储器，包括：衬底；形成在所述衬底表面的源极、漏极与沟道区，所述源极和漏极分别位于所述沟道区的两侧；形成在所述沟道区上方的隧穿氧化层和浮栅；形成在所述浮栅侧壁的侧壁绝缘层；形成在所述源极和所述漏极上方的...
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