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本发明的一种磁性隧道结的对准和形成方法，采用顶电极/磁性隧道结/底电极与CMOS导电插塞对齐的方式，形成方法包括以下步骤：(1)在衬底上，依次形成底电极膜层、磁性隧道结多层膜与硬掩模膜层；(2)图形化定义磁性隧道结图案，反应离子刻蚀硬掩模膜...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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