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本发明公开了一种自支撑垂直结构LED芯片及其制备方法，利用LiGaO2材料的物理特性，在进行快速退火期间，LiGaO2衬底会因热冲击从而自动破碎，直接促使LiGaO2衬底与金属薄膜分离，从而实现衬底的自动剥离，简化了LED芯片的制备工序，降...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学授权不得商用。

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