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本申请公开了一种P型晶体硅太阳能电池的制备方法，包括：对制绒之后的P型硅片正面进行磷扩散，得到的磷扩散层形成发射结；对所述磷扩散层进行热氧化，形成隧道氧化层；在所述隧道氧化层上面沉积厚度范围为5nm至20nm的多晶硅薄膜；去除所述P型硅片背...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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