温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体及其制备方法，其中，横向扩散金属氧化物半导体的制备方法包括：在P型衬底上依次形成P型阱区和N型阱区；在N型阱区的指定结深位置形成P型埋区；在P型埋区上方的N型阱区中形成N型离子掺杂区；在N型离子掺杂区...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。