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用于场发射阴极的纳米结构的制造方法技术
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文档序号:17144862
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本发明涉及场发射照明领域,具体涉及一种场发射阴极的形成方法。所述方法包括:将生长基底置于包含Zn基生长剂的生长溶液中,所述生长溶液在室温下具有预定义的pH值;升高生长溶液的pH值以达到成核阶段;当升高溶液的pH时就开始成核。然后通过降低pH...
该专利属于光学实验室公司(瑞典)所有,仅供学习研究参考,未经过光学实验室公司(瑞典)授权不得商用。
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