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本发明的课题是提供一种温度、时间等相关的处理条件的管理容易而且体积电阻值的面内分布极少的铌酸锂(LN)基板及其制造方法。本发明的解决方案是使用通过切克劳斯基法培养成的LN单晶制造LN基板的方法，其特征在于，将单晶中的Fe浓度超过1000质量...
该专利属于住友金属矿山株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过住友金属矿山株式会社授权不得商用。

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