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本发明公开一种具有横纵向电场同时优化宽带隙半导体横向超结双扩散晶体管。该结构是在漏端的漂移区下方设置一个辅助耗尽衬底埋层，同时在漂移区下方、靠近辅助耗尽衬底埋层的衬底区域设置一个具有电荷补偿的衬底埋层。设置的辅助耗尽衬底埋层可以扩展横向超结...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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