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本发明公开了一种二维黑磷PN结，其可以包括二维黑磷薄膜，至少所述黑磷薄膜表面的局部区域覆设有具有电荷转移特性的薄膜；并且至少在所述黑磷薄膜与具有电荷转移特性的薄膜的结合界面处，黑磷薄膜被所述具有电荷转移掺杂特性的薄膜的组成物质掺杂而形成n型...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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