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本发明涉及一种三步法制备无需转移的石墨烯的方法,上述方法包括如下步骤:将基底表面进行超声清洗、干燥,并在干燥后的基底上以铜的金属有机物作为前驱体沉积铜膜;将步骤一中获得的铜膜原位进行高温退火处理,即可得到石墨烯/铜/基底结构;利用铜刻蚀液腐...该专利属于武汉网信安全技术股份有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过武汉网信安全技术股份有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种三步法制备无需转移的石墨烯的方法,上述方法包括如下步骤:将基底表面进行超声清洗、干燥,并在干燥后的基底上以铜的金属有机物作为前驱体沉积铜膜;将步骤一中获得的铜膜原位进行高温退火处理,即可得到石墨烯/铜/基底结构;利用铜刻蚀液腐...