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本发明提供一种磁性随机存储器的制备方法，包括以下步骤：(1)在CMOS衬底上，依次形成底电极膜层、磁性隧道结多层膜和硬掩模膜层；(2)图形化定义磁性隧道结图案，刻蚀硬掩模膜层和磁性隧道结多层膜并停止在底电极膜层上；(3)离子束刻蚀去除侧壁的...
该专利属于上海磁宇信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海磁宇信息科技有限公司授权不得商用。

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