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本发明涉及一种光发射元件，其包括：光发射部分，其形成在半绝缘基板的前表面侧；以及光接收部分，其形成在前表面侧，与光发射部分共享半导体层，并且接收来自光发射部分通过半导体层沿横向方向传播的光，其中，光发射部分和光接收部分各自的阳极电极以及阴极...
该专利属于富士施乐株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士施乐株式会社授权不得商用。

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