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本发明提供了一种介电材料和介电薄膜，和由所述介电薄膜构筑的柔性有机场效应晶体管(OFET)及制备方法，及其在电子设备领域的应用。本发明的介电材料和介电薄膜含有聚甲基丙烯酸甲酯和聚丙烯酸，该介电薄膜的厚度为1～2μm。本发明的柔性OFET的制...
该专利属于中国科学院福建物质结构研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院福建物质结构研究所授权不得商用。

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