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本发明公开了一种由亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜I、非磁性间隔层和亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II依次生长而成的人工磁耦合结构材料及其制备方法，亚铁磁稀土‑过渡合金薄膜II是和薄膜I同样的稀土‑过渡合金材料，通过相同的磁控溅射过程控制不同的沉积厚度制...
该专利属于华侨大学所有，仅供学习研究参考，未经过华侨大学授权不得商用。

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