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本发明公开了一种新型n‑i‑p‑n半台面垂直结构的碳化硅雪崩二极管及其制备方法。本申请碳化硅雪崩二极管，为n‑i‑p‑n结构，从下到上依次包括：下金属接触电极、n型导电SiC衬底、p型SiC接触层、i型SiC雪崩层、n型SiC过渡层、n+型...
该专利属于南京大学所有，仅供学习研究参考，未经过南京大学授权不得商用。

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