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本发明涉及在漂移体积中具有p层的n沟道双极型功率半导体器件。一种功率半导体器件，具有半导体本体，所述半导体本体被配置为在第一负载端子与第二负载端子之间传导负载电流，包括：源极区，其具有第一导电类型的掺杂剂并被电连接到所述第一负载端子；半导体...
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