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本发明公开了一种GaN热电薄膜材料的制备方法，该工艺利用图形化蓝宝石衬底经H2净化、低温缓冲生长、升温横向生长、加压退火得到GaN薄膜材料。制备而成的GaN热电薄膜材料，其整体均匀性好、击穿电压高、使用寿命长，具有较好的应用前景。...
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