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本发明公开了一种高性能基准电压源及其实现方法，基准电压源包括：正温度系数PTAT电流产生电路，用于产生一正温度系数的电流I0；偏置电路，用于将镜像恒流源的各PMOS管的栅极电压稳定在设计值；镜像恒流源，用于为正温度系数PTAT电流产生电路提...
该专利属于中国科学院上海高等研究院所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海高等研究院授权不得商用。

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