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基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法，本发明涉及基于3D成型技术制备多孔SiC陶瓷的方法。本发明的目的是为了解决目前选择性激光烧结技术制备多孔SiC陶瓷时，成型件孔隙率低的问题。本发明方法为：绘制多孔SiC陶瓷的三维模型、设定SLS成型...
该专利属于哈尔滨理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过哈尔滨理工大学授权不得商用。

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