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本发明提供一种半导体器件的氧化层中陷阱能级分布的测量方法，基本原理是：首先，通过可见光照射衬底激发自由载流子，同时施加一定电压将载流子注入二氧化硅层中，被陷阱能级俘获；然后，通过线性升温的方法将被陷阱俘获的束缚载流子重新激发出来，变成自由载...
该专利属于中国工程物理研究院电子工程研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国工程物理研究院电子工程研究所授权不得商用。

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