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本实用新型涉及一种应变mHEMT结构，该GaAs HEMT材料由在GaAs衬底上依次外延生长的m‑Buffer晶格应变层、复合沟道层、空间隔离层、平面掺杂层、势垒层和高掺杂渐进盖帽层构成。在本实用新型中，结合GaAsmHEMT具有的超高电子...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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