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InGaN/AlInN量子阱激光器及其制作方法技术
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文档序号:17036309
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本发明公开了一种InGaN/AlInN量子阱激光器,由下至上依次包括:衬底、缓冲层、下包覆层、下V型波导层、有源区、电子阻挡层、上V型波导层、上包覆层、欧姆接触层和电极,所述下V型波导层和上V型波导层均为AlGaN材料,所述有源区为InGa...
该专利属于华南师范大学所有,仅供学习研究参考,未经过华南师范大学授权不得商用。
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