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本发明提供了一种碳量子点荧光材料的制备方法。该方法利用等离子增强化学气相沉积技术，通过控制沉积参数，在玻璃基板上交替沉积氢化的碳化硅薄膜(SiCX:H)和氢化的氮化碳薄膜(CNX:H)，然后经过250‑350℃在真空炉中退火，嵌有碳量子点的...
该专利属于三峡大学所有，仅供学习研究参考，未经过三峡大学授权不得商用。

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