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本发明涉及用于垂直传输场效应晶体管的互连，提供垂直传输场效应晶体管的结构及制造方法，该结构包括垂直传输场效应晶体管，其具有位于半导体层中的源极/漏极区域，从该半导体层中的该源极/漏极区域伸出的鳍片；以及在该半导体层上并耦接该鳍片的栅极电极。...
该专利属于格罗方德半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。

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