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一个双向半导体开关器件包括形成在半导体衬底上的第一和第二垂直场效应晶体管（FET），串联在一起。第一FET的源极在衬底的第一边上，第二FET的源极在衬底的第二边上，第二边和第一边相对。第一和第二FET的栅极都位于一组公共沟槽中，这组沟槽构成...
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