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本发明的实施方式提供一种可靠性高的半导体存储装置及其制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：半导体柱，在第1方向上延伸；第1电极，在相对于所述第1方向交叉的第2方向上延伸；第2电极，设置在所述半导体柱与所述第1电极之间；第1绝缘膜，设置在所...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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