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本申请公开一种辐射增强的双极晶体管，所公开的示例包括集成电路和双极晶体管(100)，该双极晶体管(100)具有在衬底(102,104)中的第一导电类型的第一区(106)、设置在衬底(102,104)中的第二导电类型的集电极区(114)以及延...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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