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本发明涉及一种耐高温碳化硅欧姆接触结构制作方法，包括：选取SiC衬底；在所述SiC衬底表面生长SiC外延层；利用磁控溅射工艺在所述SiC外延层表面依次淀积Ni金属层、W金属层、TaSi2金属层及Pt金属层；快速退火形成所述耐高温碳化硅欧姆接...
该专利属于西安电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过西安电子科技大学授权不得商用。

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