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本发明提供了一种钨化学机械平坦化的后清洗方法及晶圆，本发明钨化学机械平坦化的后清洗方法工艺简单，采用特定分步清洗、刷洗、冲洗和甩干操作，清洗效果好，能够有效降低CMP后清洗工艺过程中对于Wplug的氧化及电化学腐蚀，避免造成更严重的钨塞的碟...该专利属于北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)所有，仅供学习研究参考，未经过北京半导体专用设备研究所(中国电子科技集团公司第四十五研究所)授权不得商用。