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本发明涉及一种氮化铝晶体的原位退火工艺，在氮化铝晶体生长室生长完成后即进行原位退火，自籽晶氮化铝晶体生长过程中，通过在坩埚内部配置导热台，在衬底托上方配置冷阱台，导热台将坩埚侧壁的高温通过热传导的方式向坩埚内导入，在籽晶周围形成高温区，同时...
该专利属于中国电子科技集团公司第四十六研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第四十六研究所授权不得商用。

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