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碳化硅半导体装置的制造方法、半导体基体的制造方法、碳化硅半导体装置以及碳化硅半导体装置的制造装置制造方法及图纸
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文档序号:16935178
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碳化硅半导体装置(100)的制造方法,包括:在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序;从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄,从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序;在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序;在施加...
该专利属于新电元工业株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过新电元工业株式会社授权不得商用。
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