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一种制造光耦合器件的方法，包括：在衬底平台(1450)上形成波导掩膜层(1470)，其中该波导掩膜层(1470)包括开口阵列(1471)，该开口阵列(1471)包括第一端和与该第一端相对的第二端，将该衬底平台(1450)浸入到包含离子的盐熔...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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