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本公开内容讨论半导体器件生产过程中对晶片进行化学机械平坦化（ＣＭＰ）处理后清洗半导体晶片的方法。公开一种用于ＣＭＰ后清洗含金属、特别是铜互连线的晶片的酸性化学处理剂。在不显著侵蚀金属、不在表面留下沉积物或不给晶片带来大量有机（如碳）污染物的...该专利属于液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过液体空气乔治洛德方法利用和研究的具有监督和管理委员会的有限公司授权不得商用。