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本发明涉及一种基于光敏中间层的光控磁阻器件，本发明共提出2种实施方案。方案一：使用光敏材料取代现有磁阻器件中的非光敏中间层材料，即该磁阻器件的核心结构为“铁磁层/光敏中间层/铁磁层”，其中上下两个铁磁层作为自由层及参考层。方案二：在方案一的...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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