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本发明公开了一种氧化物半导体薄膜，所述氧化物半导体薄膜的成分为In4‑4x‑4yM4xN3yO6‑z，其中，In为铟元素，O为氧元素；M成分由元素周期表中的III B族元素中的一种或多种元素组成，用于抑制由氧空位导致的载流子浓度；N成分由Z...
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