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演算N搜寻/M写入的三元内容可寻址内存(TCAM)制造技术
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文档序号:16921000
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本发明涉及演算N搜寻/M写入的三元内容可寻址内存(TCAM),关于一种内容可寻址内存(CAM),并且更尤其关于一种将X‑Y TCAM的多个复本实体化的演算三元内容可寻址内存(TCAM)。此结构包括内容可寻址内存(CAM)、以及顺着阵列的行方...
该专利属于格罗方德半导体公司所有,仅供学习研究参考,未经过格罗方德半导体公司授权不得商用。
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