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本发明提供一种存储单元及存储器，包括：第一子存储单元，包括第一晶体管和第二晶体管，所述第一晶体管的栅极连接选择栅极线，源极连接所述第二晶体管的漏极，漏极连接所述第一位线，所述第二晶体管的栅极连接第一字线，源极连接源极线；第二子存储单元，包括...该专利属于中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。